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感應加熱電源的國內發展現狀
時間：2017-10-21
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感應加熱設備電源是感應加熱的關鍵設備之一，感應加熱設備電源的發展與電力電子學及電力半導體器件的發展密切相關，70年代末和80年代初現代半導體微集成加工技術與功率半導體技術的結合，為開發新型功率半導體器件提供了條件，相繼出現了一大批全控型電力電子半導體器件，極大地推動了電力電子學發展，為固態超音頻、高頻電源的研制提供了堅實的基礎。
其中，影響力最大的是1983年美國GE公司發明的一種新的很有前途的功率期間-IGBT,它綜合了MOS管與雙極晶體管的有點，在其通態壓降低的同時開關速度加快，自1988年解決了摯住問題后（由寄生NPN晶體管引起），大功率告訴IGBT已成為眾多加熱電源的首選器件，頻率高達100KHZ，功率高達Mw級電源已可實現。
如1994年，日本采用IGBT研制出了120OWk，50KHz的電流型并聯逆變感應加熱設備的電源，逆變器工作于零電壓開關狀態，并實現了微機控制，西班牙在1993年已報道了30kw-600kw,50-100KHz電流型并聯逆變感應加熱設備電源，歐美地區的其它一些國家如英國、法國、瑞士等國的系列化超音頻感應加熱設備電源目前最大容量也達數百千瓦。
國內在90年代初，浙江大學開始了對IGBT超音頻電源的研制，1996年5kow/50HkzIGBT電流型并聯逆變感應加熱電源通過了產品鑒定，目前的研制水平為200KW、50KHZ與國外的水平仍有相當大的距離。